Samsung Electronics объявила о том, что первой на рынке запустила производство флеш-памяти V-NAND девятого поколения.
В данном случае речь о памяти TLC ёмкостью в 1 Тбит. Вероятно, это новая 290-слойная память, но в пресс-релизе Samsung об этом не говорит.
Относительно памяти V-NAND восьмого поколения в новой памяти на 50% повышена плотность битов. V-NAND девятого поколения оснащена интерфейсом нового поколения под названием Toggle 5.1, который поддерживает на 33% увеличенную скорость ввода/вывода данных. Теперь речь о скорости 3,2 Гбит/с. Также компания говорит о 10-процентном снижении энергопотребления.
Компания отмечает, что во второй половине года начнёт массовое производство такой же памяти, но типа QLC.
Источник: https://www.ixbt.com/news/2024/04/23/samsung-v-nand-tlc-1.html
Еще полезное
Вот как выросли аккумуляторы новых iPhone 16. Раскрыта ёмкость каждой из новинок
Intel таким образом привлекает покупателей на свою тёмную сторону? Коробки младших Core Ultra 200K будут почти полностью чёрными
Россияне скупают Bentley и Lamborghini